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金屬氧化場效應(yīng)晶體管
中低壓 MOSFET
中壓 P-ch (-100V ~ -40V)

中壓 P-ch (-100V ~ -40V)

P 溝道 MOSFET 采用空穴作為載流子,需要柵極到源極的負(fù)電才能導(dǎo)通。因此,它是高邊開關(guān)的優(yōu)先選擇;而且柵極驅(qū)動簡單,可降低整體終端成本。捷捷微電 提供以下列表里的中壓 P 溝道 MOSFETs 予電路設(shè)計工程師選用。

因應(yīng)消費電子、工業(yè)及電機(jī)控制、通訊等終端里的多串串連電池管理系統(tǒng) / 充電器、中 / 低壓防反接保護(hù)、負(fù)載開關(guān)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等諸多應(yīng)用,捷捷微電 提供以下列表里的 P 溝道 MOSFETs (溝槽 / 屏蔽柵型溝槽技術(shù)平臺) 予電路設(shè)計工程師選用。
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